Abstract:
El presente trabajo estudia la variación de la energía electrónica total entre las configuraciones en las cuales las impurezas se encuentran separadas por una distancia finita e infinitamente distantes una de la otra. Los resultados son presentados para sistemas descritos por la aproximación de enlace fuerte en estructuras hipercúbicas.
Dicho estudio se basó en el uso del formalismo de las funciones de Creen y los potenciales electrónicos en los sitios de las impurezas son obtenidos en cada caso de modo a garantizar la neutralidad global de carga del sistema. Se concluye que, la variación de la energía electrónica total decae rapidamente con la distancia entre las impurezas.