Estructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio - fósforo (AIP)

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dc.contributor.author Cabrera Arista,César
dc.date.accessioned 2016-07-21T14:07:04Z
dc.date.available 2016-07-21T14:07:04Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.uri http://repositorio.unac.edu.pe/handle/UNAC/1011
dc.description.abstract En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales lineales muffin-tin (LMTO). De los resultados obtenidos, para la máxima transferencia de la carga electrónica hacia las regiones de menor ocupación en la red cristalina, de toda la carga que está más allá del radio de las esferas atómicas, se obtiene un excelente perfil de la estructura electrónica, que además está desplazada hacia regiones de energía más profundas, con una energía total mínima de -19.138Ry por celda unitaria. Para este valor de energía mínima, la región de energía prohibida tiene una brecha de 0.188 Rydberg, que equivale a 2.56 eV, un valor cercano al gap experimental de 2.43 e V que existe en la literatura. es_PE
dc.description.abstract The present investigation has been a theoretical study of the electronic structure of the binary compound of solid A1P with crystal structure of type zinc blende. Forbidden energy has been indirectly determined from the calculation of the electronic structure: energy bands and the density of States (DOS) in the ground state (T =O K) using the method ofthe orbital linear muffin-tin (LMTO). The results, for the maximum transfer of electronic charge towards the regions of lower occupancy in the Crystal network, all cargo which is beyond the radius of Atomic spheres, you get an excellent profile of the electronic structure, which is displaced towards deeper regions of energy, with a mínimum total energy - 19 138Ry per unit cell. For this value of mínimum energy, the forbidden energy region has a gap of 0.188 Ry, amounting to 2.56 eV, a value close to the experimental gap from 2.43 e V that exists in the literature. en_US
dc.format application/pdf en_US
dc.language.iso spa es_PE
dc.publisher Universidad Nacional del Callao es_PE
dc.rights info:eu-repo/semantics/openAccess en_US
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/pe/ *
dc.source Universidad Nacional del Callao es_ES
dc.source Repositorio institucional - UNAC es_ES
dc.subject Sólidos cristalinos es_PE
dc.subject Bandas de energía es_PE
dc.subject Densidad de estados es_PE
dc.subject Crystalline solids en_US
dc.subject Bands of energy en_US
dc.subject Density of S tates en_US
dc.title Estructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio - fósforo (AIP) es_PE
dc.type info:eu-repo/semantics/report en_US


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