Estructura electrónica del compuesto semiconductor de Indio-Fósforo INP

Abstract

En el presente trabajo se efectúa el estudio teórico de las propiedades electrónicas del estado fundamental del compuesto semiconductor de Indio-Fósforo. Se calcularon la estructura de las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) al resolver la ecuación de Schrödinger usando el método de los orbitales LMTO, en la que se usó un potencial efectivo de la red cristalina del sólido formulado con la teoría del funcional de la densidad (DFT), formalismo que usa la aproximación LDA (Ceperley & Alder, 1980) para la energía de intercambio y de correlación. De los resultados para las propiedades electrónicas: las bandas de energía y la densidad de estados con  = 0.0, se obtuvo una brecha de energía prohibida de 0.107 Ry ó 1.46 eV entre el valor máximo de la banda de valencia y el valor mínimo de la banda de conducción, justo en el punto . Brecha de energía prohibida que difiere en 2.1% del valor experimental de 1.43 eV reportado en la literatura (Vurgaftman, Meyer, & Ram-Mohan, 2001). El valor mínimo de la energía total de la red cristalina obtenida fue de -18.37 Ry para una estructura electrónica calculada con  = 0.0 y que corresponde a una transferencia del 100% de la pequeña carga electrónica fuera de las esferas atómicas, a las esferas vacías de la red cristalina.