Estructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio - fósforo (AIP)
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Fecha
2015Autor(es)
Cabrera Arista,César
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En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales lineales muffin-tin (LMTO). De los resultados obtenidos, para la máxima transferencia de la carga electrónica hacia las regiones de menor ocupación en la red cristalina, de toda la carga que está más allá del radio de las esferas atómicas, se obtiene un excelente perfil de la estructura electrónica, que además está desplazada hacia regiones de energía más profundas, con una energía total mínima de -19.138Ry por celda unitaria. Para este valor de energía mínima, la región de energía prohibida tiene una brecha de 0.188 Rydberg, que equivale a 2.56 eV, un valor cercano al gap experimental de 2.43 e V que existe en la literatura. The present investigation has been a theoretical study of the electronic structure of
the binary compound of solid A1P with crystal structure of type zinc blende.
Forbidden energy has been indirectly determined from the calculation of the
electronic structure: energy bands and the density of States (DOS) in the ground
state (T =O K) using the method ofthe orbital linear muffin-tin (LMTO). The results, for the maximum transfer of electronic charge towards the regions of
lower occupancy in the Crystal network, all cargo which is beyond the radius of
Atomic spheres, you get an excellent profile of the electronic structure, which is
displaced towards deeper regions of energy, with a mínimum total energy - 19
138Ry per unit cell. For this value of mínimum energy, the forbidden energy
region has a gap of 0.188 Ry, amounting to 2.56 eV, a value close to the
experimental gap from 2.43 e V that exists in the literature.