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dc.contributor.authorCabrera Arista,César
dc.date.accessioned2016-07-21T14:07:04Z
dc.date.available2016-07-21T14:07:04Z
dc.date.issued2015
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12952/1011
dc.description.abstractEn la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales En la presente investigación se ha realizado un estudio teórico de la estructura electrónica del compuesto binario de AIP sólido con estructura cristalina de tipo blenda de cinc. La energía prohibida se ha determinado indirectamente a partir del cálculo de la estructura electrónica: las bandas de energía y la densidad de estados (DOS) para el estado fundamental (T = OK) usando el método de los orbitales lineales muffin-tin (LMTO). De los resultados obtenidos, para la máxima transferencia de la carga electrónica hacia las regiones de menor ocupación en la red cristalina, de toda la carga que está más allá del radio de las esferas atómicas, se obtiene un excelente perfil de la estructura electrónica, que además está desplazada hacia regiones de energía más profundas, con una energía total mínima de -19.138Ry por celda unitaria. Para este valor de energía mínima, la región de energía prohibida tiene una brecha de 0.188 Rydberg, que equivale a 2.56 eV, un valor cercano al gap experimental de 2.43 e V que existe en la literatura.es_PE
dc.description.abstractThe present investigation has been a theoretical study of the electronic structure of the binary compound of solid A1P with crystal structure of type zinc blende. Forbidden energy has been indirectly determined from the calculation of the electronic structure: energy bands and the density of States (DOS) in the ground state (T =O K) using the method ofthe orbital linear muffin-tin (LMTO). The results, for the maximum transfer of electronic charge towards the regions of lower occupancy in the Crystal network, all cargo which is beyond the radius of Atomic spheres, you get an excellent profile of the electronic structure, which is displaced towards deeper regions of energy, with a mínimum total energy - 19 138Ry per unit cell. For this value of mínimum energy, the forbidden energy region has a gap of 0.188 Ry, amounting to 2.56 eV, a value close to the experimental gap from 2.43 e V that exists in the literature.en_US
dc.formatapplication/pdfes_PE
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional del Callao
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/pe/*
dc.sourceUniversidad Nacional del Callaoes_PE
dc.sourceRepositorio institucional - UNACes_PE
dc.subjectCrystalline solidses_PE
dc.subjectBands of energyes_PE
dc.subjectDensity of S tateses_PE
dc.subjectSólidos cristalinoses_PE
dc.subjectBandas de energíaes_PE
dc.subjectDensidad de estadoses_PE
dc.titleEstructura electrónica y transiciones de fase en aleación de aluminio - fósforo (AIP)es_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/reportes_PE
dc.publisher.countryPEes_PE


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