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dc.contributor.advisor-, -
dc.contributor.authorToribio Saavedra, Richard Saúl
dc.date.accessioned2019-08-05T15:26:22Z
dc.date.available2019-08-05T15:26:22Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12952/3637
dc.description.abstractEl presente trabajo estudia la variación de la energía electrónica total entre las configuraciones en las cuales las impurezas se encuentran separadas por una distancia finita e infinitamente distantes una de la otra. Los resultados son presentados para sistemas descritos por la aproximación de enlace fuerte en estructuras hipercúbicas. Dicho estudio se basó en el uso del formalismo de las funciones de Creen y los potenciales electrónicos en los sitios de las impurezas son obtenidos en cada caso de modo a garantizar la neutralidad global de carga del sistema. Se concluye que, la variación de la energía electrónica total decae rapidamente con la distancia entre las impurezas.es_PE
dc.description.uriTrabajo academicoes_PE
dc.language.isospaes_PE
dc.publisherUniversidad Nacional del Callao
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_PE
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/pe/*
dc.sourceRepositorio institucional – UNACes_PE
dc.subjectLigaciones fuerteses_PE
dc.subjectImpurezases_PE
dc.subjectFunciones de Creenes_PE
dc.subjectEnergía electrónica totales_PE
dc.title“Variación de la energía electrónica total de un sistema metálico debido a la presencia de impurezas substitucionales“es_PE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/reportes_PE
thesis.degree.name-es_PE
thesis.degree.levelTítulo Profesionales_PE
thesis.degree.discipline-es_PE
dc.publisher.countryPEes_PE


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